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依据TrendForce集邦咨询查询显现，跟着存储器均匀销售价格(ASP)继续提高，供货商获利也有所添加，DRAM与NAND Flash后续的本钱开销将会继续上涨，但关于2026年的位元产出生长的助力有限。DRAM和NAND Flash工业的出资重心正逐渐改变，从单纯地扩展产能，转向制程技能晋级、高层数仓库、混合键合以及HBM等高附加价值产品。
其间，DRAM工业的本钱开销在2025年估计将到达537亿美元，估计在2026年进一步生长至613亿美元，年增率达14%。NAND Flash部分，本钱开销在2025年估计为211亿美元，2026年估计小幅添加至222亿美元，年增约5%。
在DRAM各供货商中，Micron（美光科技）被以为是最活跃的厂商，其2026年本钱开销估计达135亿美元，年增23%，首要专心于1 gamma制程浸透和TSV设备建置。SK hynix（SK海力士）的增幅也十分明显，2026年估计为205亿美元，年增17%，以应对M15x的HBM4产能扩张。Samsung（三星）估计投入200亿美元，年增11%，用于HBM的1C制程浸透及小幅添加P4L晶圆产能。
TrendForce集邦咨询指出，现在在无尘室空间也有缺乏供给的状况，检视一切DRAM供货商的产能空间，仅有Samsung与SK hynix仍有小幅扩展产线的时机，而Micron则需要等候其美国ID1新厂完工，最快2027年才干有产出，因而任何后续上修的本钱开销对2026的位元产出奉献皆十分有限。
TrendForce集邦咨询剖析，此次NAND Flash工业需求的迸发，首要受AI对贮存容量需求的急速攀升，以及HDD供给缺乏导致云端服务供货商(CSP)转单所带动。此现象归于结构性缺少，而非时间短的商场动摇。
但是，曩昔数年工业阅历屡次景气循环，使部分厂商在本钱开销与扩产战略上趋于保存。跟着2026年本钱开销重心放在制程晋级和导入hybrid-bonding而非扩产，将导致供给位元增幅有限，TrendForce集邦咨询以为，NAND Flash商场的求过于供状况估计将连续2026年全年。
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